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IXTN32P60P
-45
Fig. 7. Input Admittance
60
Fig. 8. Transconductance
-40
-35
-30
-25
55
50
45
40
35
T J = - 40oC
25oC
-20
-15
-10
T J = 125oC
25oC
- 40oC
30
25
20
15
125oC
10
-5
0
5
0
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
-5.5
-6.0
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-100
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
-10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-9
-8
-7
-6
-5
-4
V DS = - 300V
I D = -16A
I G = -1mA
-30
-20
-10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
-3
-2
-1
0
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
-2.4
-2.8
-3.2
-3.6
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
100,000
10,000
1,000
100
10
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
Crss
- 100.0
- 10.0
- 1.0
- 0.1
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
25μs
100μs
1ms
10ms
DC, 100ms
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
- 10
- 100
- 1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
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